MRF227 Transistor di potenza RF NPN in silicio

MRF227

Transistor di potenza RF NPN in silicio

13.00
3 Articolo(i)
+
Aggiungi alla lista dei desideri
MRF227 VALORI MASSIMI Rating Collettore -Tensione Emettitore Co Ettore- Voltaggio Base e Emettitore-Tensione Base @Totale Dispositivo Dissipazione Tc = 25°C Declassamento oltre 25°C Temperatura di Stoccaggio Simbolo v CEO vCBO VEBO Pd Tstg Valore 16 36 400 5,0 28,5 -65 a +200 Unità Vdc Vdc mdc Watt mW /°C °C CASO 79-03, TIPO 5 TRANSISTOR AD ALTA FREQUENZA NPN SILICIO f CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta = 25°C se non diversamente specificato.) Caratteristica Simbolo Min Typ Max Unità OFF CARATTERISTICHE Tensione di rottura collettore-emettitore dC = 50 mAdc, lg = 0) Tensione di rottura collettore-emettitore Oc = 50 mAdG, Vbe = 0) Emettitore-base .