MRF422 TRANSISTORI DI POTENZA RF

MRF422  TRANSISTORI DI POTENZA RF
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MRF 422 NPN Transistor di potenza RF in silicio Progettato principalmente per applicazioni come amplificatore lineare ad alta potenza da 2,0 a 30 MHz. • Caratteristiche specificate 28 Volt, 30 M Hz — Potenza di uscita = 150 W (PEP) Guadagno minimo = 10 dB Efficienza = 40% • Distorsione di intermodulazione @ 150 W (PEP) — ​​IMD = – 30 dB (Min) • 100 % testato per la mancata corrispondenza del carico a tutti gli angoli di fase con 30:1 VSWR MRF422 150 W (PEP), TRANSISTOR DI POTENZA RF 30 MHz NPN SILICON CASE 211–11, STYLE 1 VALUTAZIONI MASSIME Valore nominale Collettore-Emettitore Voltaggio Collettore-Vol.